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Si4178DY-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- Si4178DY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装形式，专为高效能、大电流应用设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定传输8.5A连续电流，其出色的导通电阻仅为14mΩ，确保在高负载条件下仍能保持高效率和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，凭借卓越的电流处理能力和优异的电气性能，为您的电路设计提供有力支持。
- 商品型号
- Si4178DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366569
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |