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SI4800BDY-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- SI4800BDY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率电源管理和电机控制设计。该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，能提供高达8.5A的连续电流，且导通电阻低至14mΩ，确保在大电流应用环境下仍然保持卓越的性能和能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，为您的电路设计带来强大的电流处理能力和杰出的电气性能表现。
- 商品型号
- SI4800BDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366562
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
AO4466采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源