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IRF7403PBF-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7403PBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

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描述
IRF7403PbF N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输8.5A连续电流，并具有仅14mΩ的导通电阻，确保在高强度负载下仍保持出色的能效和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多领域，以其强大的电流处理能力和卓越的电气性能，成为优化电路设计的理想半导体元件。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRF7403PBF-HXY
商品编号
C22366566
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)816.2pF
反向传输电容(Crss)82.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)107.8pF

数据手册PDF

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