IRF7403PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- IRF7403PbF N沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS),可稳定传输8.5A连续电流,并具有仅14mΩ的导通电阻,确保在高强度负载下仍保持出色的能效和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多领域,以其强大的电流处理能力和卓越的电气性能,成为优化电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRF7403PBF-HXY
- 商品编号
- C22366566
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
导通电阻(RDS(on)) | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+¥0.76167¥1.0881
50+¥0.74389¥1.0627
150+¥0.73199¥1.0457
500+¥0.72009¥1.0287¥3086.1
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