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IRF7403PBF-HXY实物图
IRF7403PBF-HXY商品缩略图
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IRF7403PBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

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描述
IRF7403PbF N沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS),可稳定传输8.5A连续电流,并具有仅14mΩ的导通电阻,确保在高强度负载下仍保持出色的能效和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多领域,以其强大的电流处理能力和卓越的电气性能,成为优化电路设计的理想半导体元件。
商品型号
IRF7403PBF-HXY
商品编号
C22366566
商品封装
SOP-8
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
属性参数值
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))-

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