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FDS8884-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- FDS8884 N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用研发。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载8.5A的连续电流，其导通电阻仅为14mΩ，确保在高电流操作时仍保持出色的能效比和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，凭借卓越的电流处理能力和稳定的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。
- 商品型号
- FDS8884-HXY
- 商品编号
- C22366574
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
SI4410BDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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