温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7807PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IRF7807PbF N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率、大电流应用定制。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载8.5A连续电流，导通电阻低至14mΩ，确保在大电流操作时依然保持高能效和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源等领域，以其卓越的电流处理能力和可靠的电气性能，为您的电路设计提供强力支持。
- 商品型号
- IRF7807PBF-HXY
- 商品编号
- C22366567
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
相似推荐
其他推荐
- IRF7807ZPBF-HXY
- Si4178DY-T1-GE3-HXY
- AO4404B-HXY
- SI4410BDY-T1-E3-HXY
- SI4410BDY-T1-GE3-HXY
- SM4496PRL-HXY
- FDS8884-HXY
- SI4346DY-T1-E3-HXY
- IRF7201PBF-HXY
- IRF9410PBF-HXY
- Si4178DY-HXY
- Si4134DY-HXY
- FDS6612A-HXY
- Si4128DY-HXY
- IRF7201-HXY
- FDS6630A-HXY
- DMP3013SFV-HXY
- DMP3017SFGQ-HXY
- SIS413DN-T1-GE3-HXY
- ZXMN2B14FH-HXY
- IRF7313PBF-HXY