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DMN3018SSD-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3018SSD-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

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描述
这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力,最大工作电压为30V,内阻典型值为14mΩ,适用于高要求电路。其VGS为20V,确保稳定的开关控制。该元器件设计精良,适用于多种高性能电子设备,如通信、计算和消费电子产品,提供卓越的性能和可靠性。
商品型号
DMN3018SSD-HXY
商品编号
C22366565
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)583pF
反向传输电容(Crss)59pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)77pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF