温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3018SSD-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力，最大工作电压为30V，内阻典型值为14mΩ，适用于高要求电路。其VGS为20V，确保稳定的开关控制。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，如通信、计算和消费电子产品，提供卓越的性能和可靠性。
- 商品型号
- DMN3018SSD-HXY
- 商品编号
- C22366565
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
SI4410BDY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 8.5 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- IRF7403PBF-HXY
- IRF7807PBF-HXY
- IRF7807ZPBF-HXY
- Si4178DY-T1-GE3-HXY
- AO4404B-HXY
- SI4410BDY-T1-E3-HXY
- SI4410BDY-T1-GE3-HXY
- SM4496PRL-HXY
- FDS8884-HXY
- SI4346DY-T1-E3-HXY
- IRF7201PBF-HXY
- IRF9410PBF-HXY
- Si4178DY-HXY
- Si4134DY-HXY
- FDS6612A-HXY
- Si4128DY-HXY
- IRF7201-HXY
- FDS6630A-HXY
- DMP3013SFV-HXY
- DMP3017SFGQ-HXY
- SIS413DN-T1-GE3-HXY