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DMG4466SSS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力，最大30V的工作电压，以及14mR的典型内阻。其VGS为20V，适用于需要较高电流和耐压的电子系统。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于电源管理、信号放大及开关电路等领域，有效提升系统整体性能和效率。
- 商品型号
- DMG4466SSS-HXY
- 商品编号
- C22366559
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
SI4800BDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 8.5 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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