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NTMS4177P-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款P型场效应管拥有出色的性能参数：最大承受电流高达12A，耐压可达30V，内阻典型值为10mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于高效能电源管理以及各种自动化控制领域，确保系统稳定运行。低内阻保证了电流承载能力强，是您在电子系统中的理想选择。
- 商品型号
- NTMS4177P-HXY
- 商品编号
- C22366554
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
IRF7424TR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 12A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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