温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF9328PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- IRF9328PbF P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率应用设计。器件特点在于30V的最大漏源电压(VDSS)，具备高达12A的连续电流处理能力，并具有低至10mΩ的导通电阻，有效提高系统工作效率，减少能量损耗。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等对电流处理要求高的场合，以出色的性能和可靠性，成为您优化电路设计的理想之选。
- 商品型号
- IRF9328PBF-HXY
- 商品编号
- C22366553
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
IRF9328PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源