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IRF9328PBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9328PBF-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
IRF9328PbF P沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为高功率应用设计。器件特点在于30V的最大漏源电压(VDSS),具备高达12A的连续电流处理能力,并具有低至10mΩ的导通电阻,有效提高系统工作效率,减少能量损耗。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等对电流处理要求高的场合,以出色的性能和可靠性,成为您优化电路设计的理想之选。
商品型号
IRF9328PBF-HXY
商品编号
C22366553
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@6A
输入电容(Ciss)4.7nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)290pF

数据手册PDF