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IRF7424TR-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7424TR-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其关键参数包括:最大电流12A,额定电压30V,以及典型内阻10mR。此外,它的栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优异的性能表现,可确保在各种工作环境下稳定可靠,是实现高效能电子系统的理想选择。
商品型号
IRF7424TR-HXY
商品编号
C22366557
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
栅极电荷量(Qg)45nC
输入电容(Ciss)4.7nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF