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FDS6675BZ-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- FDS6675BZ P沟道MOSFET采用SOP-8封装工艺，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能持续承载高达12A的大电流，其突出优势在于仅有10mΩ的导通电阻，确保在高功率状态下也能展现出卓越的能效表现。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以强大的电流处理能力和绝佳的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。
- 商品型号
- FDS6675BZ-HXY
- 商品编号
- C22366556
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
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