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IRLML0060PBF-HXY
N沟道 60V 3A
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- 描述
- 这款IRLML0060PbF N沟道MOS管采用高效能SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。具有出色的电气性能，耐压高达60V，连续电流可达3A，低至80mΩ的导通电阻，确保了设备在运行中的高效能与低损耗。其卓越的品质和可靠性适合于各类高端电源转换、电机驱动及开关控制应用场合，是您优化系统性能的理想选择。
- 商品型号
- IRLML0060PBF-HXY
- 商品编号
- C22366542
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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