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SQ2308CES-T1_GE3-HXY
N沟道 60V 3A
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- 描述
- SQ2308CES-T1_GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子设备的小型化设计打造。器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V，持续电流(ID)高达3A，且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ，确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景，以出色的效能和稳定性，为您提供电路设计的上乘之选。
- 商品型号
- SQ2308CES-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22366547
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
SQ2308CES-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60 V，漏极电流 = 3 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 85 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源