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IRF7424PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- IRF7424PbF P沟道MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用环境打造。其拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在系统中安全地处理高达12A的连续电流，得益于仅10mΩ的导通电阻，极大提升了整体能效表现。此款器件广泛应用在电源转换、电机驱动、电池保护等领域，以出色的电流处理能力和卓越的能效，为您的电路设计提供有力支持。
- 商品型号
- IRF7424PBF-HXY
- 商品编号
- C22366552
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
IRF7424PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -12A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源