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ST3426-HXY
N沟道 60V 3A
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- 描述
- ST3426 是N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件规格出色，具有60V的最大稳态电压(VDSS)，额定电流高达3A，且导通电阻仅为80mΩ，确保了更低的功率损耗和更高的能效表现。广泛应用于电源管理、开关调节器、电机驱动等场景，以其高性能、稳定耐用的特性，成为您电子项目的理想组件选择。
- 商品型号
- ST3426-HXY
- 商品编号
- C22366544
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
BSO130P03SH采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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