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Si2308BDS-T1-E3-HXY
N沟道 60V 3A
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- 描述
- Si2308BDS-T1-E3 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子设计提供解决方案。此器件具备强大性能，工作电压高达60V，连续输出电流达3A，且拥有优秀的导通电阻仅为80mΩ，显著提升系统效率并降低能耗。适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域，以卓越的品质与可靠的性能，助您的电路设计实现效能升级。
- 商品型号
- Si2308BDS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366543
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
IRF9321PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源