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TPC8126-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPC8126-HXY

耐压:30V 电流:15A

描述
这款场效应管采用P型设计,适用于高电流、低内阻的应用场景。其最大电流承载能力为15A,耐压高达30V,内阻典型值为5.8mΩ,确保了高效的电流传递和较低的功耗。VGS为20V,使得器件在适当的栅源电压下能够稳定工作。该元器件因其出色的性能和稳定性,被广泛应用于多个领域。
商品型号
TPC8126-HXY
商品编号
C22366541
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.448nF
反向传输电容(Crss)421pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)508pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF

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