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FDS6679AZ-HXY
耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- FDS6679AZ 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用和高效能设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能稳定处理18A的连续漏极电流，呈现强大的电力管理能力。其独特之处在于仅7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工况下仍能维持高效能与低热损。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路控制等领域，是您实现高能效半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- FDS6679AZ-HXY
- 商品编号
- C22366539
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
TPC8126采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -15A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.7mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源