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IRF9388PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF9388PbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、低损耗应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可轻松应对18A的连续漏极电流，彰显其卓越的电力处理性能。其突出优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作状态下仍保持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制等领域，是追求高效、节能解决方案的优选半导体元件。
- 商品型号
- IRF9388PBF-HXY
- 商品编号
- C22366540
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
STD17NF03LT4采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 20 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源