FDS6673BZ-HXY

1个P沟道耐压:30V 电流:15A

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描述: FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDS6673BZ-HXY
商品编号: C22366538
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12克(g)

商品参数