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SI4427BDY-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高性能、低损耗应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达18A的连续漏极电流，突显其卓越的电流处理性能。其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，助力实现高能效、低损耗的电力转换。广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合，是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI4427BDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366537
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
IRF9388PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -15A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源