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FDD6612A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。
- 商品型号
- FDD6612A-HXY
- 商品编号
- C22366530
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
FDD6612A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 25mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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