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IRLR2703-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有20A的电流承载能力，能在30V电压下稳定工作。其内阻典型值为15mΩ，VGS为20V。适用于需要高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、马达驱动等，确保系统高效稳定运行。选择此款元器件，可优化电路性能，提升整体可靠性。
- 商品型号
- IRLR2703-HXY
- 商品编号
- C22366532
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375351克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
FDD6630A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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