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DMG4407SSS-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG4407SSS-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:15A

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描述
这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大承受电流为15A,最高工作电压可达30V,内阻典型值为5.8mΩ,栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优良的性能和稳定性,可确保在各种条件下稳定工作,为您的电子设备提供可靠的解决方案。
商品型号
DMG4407SSS-HXY
商品编号
C22366533
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.448nF
反向传输电容(Crss)421pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)508pF

商品概述

DMG4413LSS采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -15A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 8.7mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF