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FDD6630A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- FDD6630A 是一款N沟道MOSFET，选用TO-252-2L封装形式，专为高功率、大电流应用设计。该器件支持高达30V的漏源极电压(VDSS)，并能稳定承载20A的连续漏极电流，体现了出色的电流处理能力。其关键特性在于仅有15mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效提升系统工作效率，减少功率损耗。广泛运用于电源转换、马达驱动、大电流开关电路等领域，是追求高效、耐用性能的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDD6630A-HXY
- 商品编号
- C22366529
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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