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AOD484-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- AOD484 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流(ID)，体现出卓越的电流处理性能。其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on))，确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面，是高端电子设备的理想半导体元件。
- 商品型号
- AOD484-HXY
- 商品编号
- C22366528
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
DMN3730U采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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