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IRLR3103PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- IRLR3103PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率应用设计。器件提供30V的VDSS耐压值，支持高达20A的连续漏极电流ID，展现强大的电流处理能力。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，保证了优秀的能效表现，降低系统损耗。适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等领域，是实现高效率、大电流操作的理想半导体器件。
- 商品型号
- IRLR3103PBF-HXY
- 商品编号
- C22366524
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
FDS6680A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源