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SM480T9RL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- SM480T9RL 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为高电流应用场合设计。该器件支持30V的最大漏源电压VDSS，能够稳定承载高达20A的连续漏极电流，显示了其卓越的电流处理能力。其出众之处在于仅15mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高系统能效，降低损耗。广泛应用于电源转换、大电流开关电路、电机驱动等行业，是寻求高功率、高效能半导体组件的理想选择。
- 商品型号
- SM480T9RL-HXY
- 商品编号
- C22366526
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
DMP3015LSS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源