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IRLML6346PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- IRLML6346PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子设备的小型化设计。它支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并可轻松处理5A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电流处理能力和卓越的系统稳定性。导通电阻(RD(on))仅为33mΩ，有助于显著降低功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理等多个领域，是紧凑、高效半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- IRLML6346PBF-HXY
- 商品编号
- C22366520
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOD484采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源