温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN3B01F-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N型场效应管具有5A的电流承载能力和30V的电压耐受性，内阻典型值为33mΩ，适用于高效能电源管理。其VGS为12V，确保稳定的开关控制。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，能够提升系统的稳定性和能效比，是电子工程师的理想选择。
- 商品型号
- ZXMN3B01F-HXY
- 商品编号
- C22366523
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZXMN3B01F采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 5 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 42 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源