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IRF7413ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF7413ZPbF 型号MOS管，采用SOP-8封装，紧凑高效，专为现代电子设备优化布局。该N沟道器件可在30V的最高电压下稳定工作，提供高达15A的连续电流承载能力。其突出优势在于仅为7.5mR的超低导通电阻，有效提升系统效率并降低能耗，广泛应用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等众多领域，是您构建高效、节能电路的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRF7413ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366509
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.120603克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
DMN6066SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源