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PMV40UN2R-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- PMV40UN2R N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS)，具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力，适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on))，显著降低功耗，提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。
- 商品型号
- PMV40UN2R-HXY
- 商品编号
- C22366517
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF7103PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP - 8
- 双N沟道MOSFET