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DMG3402L-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG3402L-HXY

N沟道 耐压:30V 电流:5A

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描述
这款N型场效应管具备5A的电流承载能力和30V的电压耐受性,内阻典型值为33mΩ,适用于高效能应用。其VGS为12V,确保了稳定的工作性能。该元器件设计精良,适用于多种高性能电子设备,如通信基础设施和精密仪器,提供卓越的稳定性和能效管理。
商品型号
DMG3402L-HXY
商品编号
C22366518
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)4.6nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

IRF8714PBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 15A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 9mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 14mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF