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DMN3150L-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有5A的电流承载能力和30V的工作电压，内阻典型值为33mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了良好的控制性能。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，能够确保系统稳定运行，提升整体能效。选择它，为您的电子设备注入更强劲的动力。
- 商品型号
- DMN3150L-HXY
- 商品编号
- C22366519
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN3300U采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 5A
- RDS(ON) < 42mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源