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IRF7821PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF7821PbF 型号MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子产品的小型化需求设计。这是一款高性能N沟道MOS管，可在30V的最大工作电压下，提供稳定的15A电流承载能力。其关键特性在于7.5mR的超低导通电阻，极大提升了能源效率并减少功耗，广泛运用于电源转换、电机驱动、大电流开关控制等领域，是您打造高效节能系统的核心半导体元件。
- 商品型号
- IRF7821PBF-HXY
- 商品编号
- C22366511
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
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