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SI4174DY-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- SI4174DY-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用小型化SOP-8封装设计，专为现代精密电子设备量身打造。该器件具备30V的最大漏源极耐压(VDSS)，并能在高效率下稳定承载15A的连续漏极电流(ID)，表现出色。尤为突出的是其低至7.5mΩ的导通电阻(RD(on))，在运行过程中可大幅减少能量损耗，提升整体能效。这款MOS管凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为众多电源管理、电机驱动等应用领域的理想之选。
- 商品型号
- SI4174DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366515
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
IRLR3103PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源