温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4946BEY-T1-E3-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号SI4946BEY-T1-E3 的N+N沟道MOS管，采用SOP-8封装技术，专为高效能、高集成度的电子设计打造。该器件具备出色的工作性能，最大电压VDSS高达60V，连续电流ID支持6.5A，适用于高电压大电流应用场景。导通电阻RD(on)低至32mR，显著减少功率损耗，提升系统能效比。广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是工程师在设计高性能、节能型电路时的理想选择。
- 商品型号
- SI4946BEY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366492
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
IRF7341PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐