温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN6070SSD-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，使得该器件在适当的栅源电压下能保持良好的开关性能。适用于多种高性能电子设备，为您的设计提供可靠且高效的电子解决方案。
- 商品型号
- DMN6070SSD-HXY
- 商品编号
- C22366500
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN6070SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 6.5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 36 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源