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FDS9945-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
- 描述
- FDS9945 型号MOS管是一款采用先进SOP-8封装技术的高性能半导体器件，拥有N+N沟道结构，确保在60V的额定电压下实现高效、稳定的运行。该器件可承载6.5A的最大连续电流，尤其突出的是其32mR的超低导通电阻，极大地减少了电能损失，提升了整体工作效率。这款MOS管广泛适用于电源转换器、负载开关、电机驱动等领域，是您构建节能高效电路的理想组件。
- 商品型号
- FDS9945-HXY
- 商品编号
- C22366501
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |