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IRF7103PBF-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 型号IRF7103PbF 的MOS管，封装精巧SOP-8，专为高效能电路设计。该器件采用领先的N+N沟道技术，可在60V的最大漏源电压下稳定工作，提供强大的6.5A连续电流。其卓越特性在于仅32mR的超低导通电阻，显著提升能源效率，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、高频率开关等领域，是工程师打造高性能、节能方案的理想选择。
- 商品型号
- IRF7103PBF-HXY
- 商品编号
- C22366502
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
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