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ZXMN6A11DN8-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
- 描述
- 这款N+N型场效应管，具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于大多数应用需求。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于各类电子系统中，为您的设备提供稳定的电流控制和高效的电源管理。
- 商品型号
- ZXMN6A11DN8-HXY
- 商品编号
- C22366503
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |