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STN4828-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 型号STN4828 的N+N沟道MOS管采用标准SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件提供出色的电气性能，最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，适应高压大电流工作环境。其导通电阻RD(on)仅为32mR，确保在大电流操作时降低功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师设计高性能、低损耗电路的理想MOS管产品。
- 商品型号
- STN4828-HXY
- 商品编号
- C22366494
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOSS62934采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 125 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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