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STS4DNF60L-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 此款MOS管型号为STS4DNF60L ，采用紧凑型SOP-8封装，适合高密度电路板设计。其内部结构为高性能N+N沟道，能在60V的额定电压下稳定工作，提供高达6.5A的连续输出电流。尤其值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻仅为32mΩ，能有效降低功耗，提升系统效率，是电源管理、电机驱动等应用的理想选择。
- 商品型号
- STS4DNF60L-HXY
- 商品编号
- C22366499
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF7413ZPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源