IRF7341PBF-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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描述
型号IRF7341PbF 的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用设计。该器件的最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，胜任高压大电流环境下的稳定运行。导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRF7341PBF-HXY商品编号
C22366496商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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