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DMN6066SSD-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景，如电源管理、负载开关等。该器件可确保系统高效运行，是电子设备的理想选择。
- 商品型号
- DMN6066SSD-HXY
- 商品编号
- C22366497
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SQ4946AEY-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 6.5 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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