温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号SQ4946AEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代高集成、低功耗电子设备设计。该器件拥有卓越电气性能，额定工作电压VDSS高达60V，连续电流ID高达6.5A，可应对高电压大电流应用。导通电阻RD(on)仅为32mR，有效减少功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师打造高性能、节能环保电路的理想组件。
- 商品型号
- SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22366493
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN6040SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 6.5 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源