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ZXMN6A25DN8TA-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
- 描述
- ZXMN6A25DN8TA 的N+N沟道MOS管，采用SOP-8封装方式，专为高功率密度和高效能电路设计。该器件具备优越的电气性能，最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID高达6.5A，适用于高电压大电流应用场景。其导通电阻RD(on)仅为32mR，确保在大电流传输时最大限度降低功率损耗，提升整体系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等众多领域，是工程师设计高性能、节能电子设备的优选MOS管组件。
- 商品型号
- ZXMN6A25DN8TA-HXY
- 商品编号
- C22366495
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |