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IRFR5505PBF-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFR5505PBF-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:15A

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描述
型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备高效散热性能。该器件工作电压VDSS高达60V，连续电流ID可承载15A，满足大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为70mR，有效减少功率损耗，提高能源利用效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高功率、低损耗电路的理想选择。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRFR5505PBF-HXY
商品编号
C22366487
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.387克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.86nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.447nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)97.3pF

数据手册PDF

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