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IRFR5505PBF-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备高效散热性能。该器件工作电压VDSS高达60V，连续电流ID可承载15A，满足大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为70mR，有效减少功率损耗，提高能源利用效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高功率、低损耗电路的理想选择。
- 商品型号
- IRFR5505PBF-HXY
- 商品编号
- C22366487
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97.3pF |