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Si2324DS-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和100V的耐压特性，内阻典型值为210mΩ，适用于高效能电源管理。其VGS为20V，确保稳定的开关控制。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，如数据中心、通信基础设施和自动化控制系统，提供卓越的性能和可靠性。
- 商品型号
- Si2324DS-HXY
- 商品编号
- C22366489
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
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