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DMNH6042SSDQ-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，最高60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于多种电路设计。该元器件因其出色的性能和稳定性，被广泛应用于电源管理、信号放大及开关控制等关键领域，满足各种复杂应用场景的需求。
- 商品型号
- DMNH6042SSDQ-HXY
- 商品编号
- C22366491
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SQ9945BEY-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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